货期: 8周-10周
封装: 管件
阶梯 | 单价 | 总价 |
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1 | ¥42.539575 | ¥42.54 |
10 | ¥38.18417 | ¥381.84 |
100 | ¥31.282318 | ¥3128.23 |
更多价格 |
属性 | 参数值 |
---|---|
制造商: | Nexperia(安世) |
系列: | - |
包装: | 管件 |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | N 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 100 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 120A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 5 毫欧 @ 25A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 4V @ 1mA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 170 nC @ 10 V |
Vgs(最大值): | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 9900 pF @ 50 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 338W(Tc) |
工作温度: | -55°C ~ 175°C(TJ) |
安装类型: | 通孔 |
供应商器件封装: | TO-220AB |
封装/外壳: | TO-220-3 |
标准包装: | 50 |
PSMN5R0-100PS,127
型号:PSMN5R0-100PS,127
品牌:Nexperia安世
描述:MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB
库存:0
单价:
1+: | ¥42.539575 |
10+: | ¥38.18417 |
100+: | ¥31.282318 |
500+: | ¥26.629888 |
1000+: | ¥24.063117 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥42.54