APTGF180DH60G

制造商编号:
APTGF180DH60G
制造商:
Microsemi美高森美
描述:
IGBT MODULE 600V 220A 833W SP6
规格说明书:
APTGF180DH60G说明书

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货期: 8周-10周

封装: 散装

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规格参数

属性 参数值
制造商: Microsemi(美高森美)
系列: -
包装: 散装
零件状态: 停产
IGBT 类型: NPT
配置: 非对称桥
电压 - 集射极击穿(最大值): 600 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 220 A
功率 - 最大值: 833 W
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 2.5V @ 15V,180A
电流 - 集电极截止(最大值): 300 µA
不同 Vce 时输入电容 (Cies): 8.6 nF @ 25 V
输入: 标准
NTC 热敏电阻:
工作温度: -
安装类型: 底座安装
封装/外壳: SP6
供应商器件封装: SP6
标准包装: 1

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APTGF180DH60G

型号:APTGF180DH60G

品牌:Microsemi美高森美

描述:IGBT MODULE 600V 220A 833W SP6

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