货期: 8周-10周
封装: 卷带(TR)
阶梯 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1+ : 需询价 |
属性 | 参数值 |
---|---|
制造商: | NXP(恩智浦) |
系列: | TrenchMOS™ |
包装: | 卷带(TR) |
零件状态: | 停产 |
FET 类型: | N 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 55 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 19A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 5V,10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 70 毫欧 @ 10A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 2V @ 1mA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 9.4 nC @ 5 V |
Vgs(最大值): | ±15V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 650 pF @ 25 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 56W(Tc) |
工作温度: | -55°C ~ 175°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
供应商器件封装: | DPAK |
封装/外壳: | TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 |
标准包装: | 2,500 |
型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
---|---|---|---|
AUIRFR024NTRL | Infineon Technologies | ¥14.67000 | 类似 |
IRFR024NTRPBF | Infineon Technologies | ¥8.14000 | 类似 |
PHD21N06LT,118
型号:PHD21N06LT,118
品牌:NXP恩智浦
描述:MOSFET N-CH 55V 19A DPAK
库存:0
单价:
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00