库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 卷带（TR）
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | ￥10.406898 | ￥10.41 |
| 10 | ￥9.30031 | ￥93.00 |
| 100 | ￥7.254988 | ￥725.50 |
更多价格 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | Diodes(美台) |
| 系列: | - |
| 包装: | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | N 和 P 沟道 |
| FET 功能: | 逻辑电平门 |
| 漏源电压（Vdss）: | 30V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 2.9A，2.1A |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 120 毫欧 @ 2.5A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 3V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 3.9nC @ 10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 190pF @ 25V |
| 功率 - 最大值: | 1.7W |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 封装/外壳: | 8-WDFN 裸露焊盘 |
| 供应商器件封装: | DFN3020B-8 |
| 标准包装: | 3,000 |
ZXMC3AMCTA
型号：ZXMC3AMCTA
品牌：Diodes美台
描述：MOSFET N/P-CH 30V 2.9A/2.1A 8DFN
库存：0
单价：
| 1+： | ￥10.406898 |
| 10+： | ￥9.30031 |
| 100+： | ￥7.254988 |
| 500+： | ￥5.992856 |
| 1000+： | ￥4.731309 |
| 3000+： | ￥4.415857 |
| 6000+： | ￥4.301145 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥10.41