SI4880DY-T1-GE3

制造商编号:
SI4880DY-T1-GE3
制造商:
Vishay威世
描述:
MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC
规格说明书:
SI4880DY-T1-GE3说明书

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货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

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规格参数

属性 参数值
制造商: Vishay(威世)
系列: TrenchFET®
包装: 卷带(TR)
零件状态: 停产
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 13A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 8.5 毫欧 @ 13A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.8V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 25 nC @ 5 V
Vgs(最大值): ±25V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 2.5W(Ta)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: 8-SOIC
封装/外壳: 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
标准包装: 2,500

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
FDS6670A onsemi ¥7.07000 类似
AO4476A Alpha & Omega Semiconductor Inc. ¥5.45000 类似
IRF7458TRPBF Infineon Technologies ¥13.90000 类似
IRF8714TRPBF Infineon Technologies ¥6.37000 类似
IRF7809AVTRPBF Infineon Technologies ¥11.06000 类似

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SI4880DY-T1-GE3

型号:SI4880DY-T1-GE3

品牌:Vishay威世

描述:MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC

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