货期: 8周-10周
封装: 卷带(TR)
阶梯 | 单价 | 总价 |
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1 | ¥20.483284 | ¥20.48 |
10 | ¥18.417858 | ¥184.18 |
100 | ¥14.800854 | ¥1480.09 |
更多价格 |
属性 | 参数值 |
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制造商: | Infineon(英飞凌) |
系列: | HEXFET® |
包装: | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | N 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 100 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 5.9A(Ta),24A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 31 毫欧 @ 14A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 5V @ 50µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 21 nC @ 10 V |
Vgs(最大值): | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 910 pF @ 25 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 2.5W(Ta),41W(Tc) |
工作温度: | -55°C ~ 175°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
供应商器件封装: | DIRECTFET™ SC |
封装/外壳: | DirectFET™ 等距 SC |
标准包装: | 4,800 |
AUIRF7647S2TR
型号:AUIRF7647S2TR
品牌:Infineon英飞凌
描述:MOSFET N-CH 100V 5.9A DIRECTFET
库存:0
单价:
1+: | ¥20.483284 |
10+: | ¥18.417858 |
100+: | ¥14.800854 |
500+: | ¥12.160323 |
1000+: | ¥11.581183 |
4800+: | ¥11.581183 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥20.48