货期: 8周-10周
封装: 卷带(TR)
阶梯 | 单价 | 总价 |
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1 | ¥6.589792 | ¥6.59 |
10 | ¥5.672195 | ¥56.72 |
100 | ¥4.23475 | ¥423.48 |
更多价格 |
属性 | 参数值 |
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制造商: | Rohm Semiconductor(罗姆) |
系列: | - |
包装: | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | N 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 30 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 6.5A(Ta) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 4.5V,10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 15.3mOhm @ 6.5A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 2.5V @ 1mA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 16.3 nC @ 10 V |
Vgs(最大值): | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 680 pF @ 15 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 910mW(Ta) |
工作温度: | 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
供应商器件封装: | TUMT6 |
封装/外壳: | 6-SMD,扁平引线 |
标准包装: | 3,000 |
RF6E065BNTCR
型号:RF6E065BNTCR
品牌:Rohm Semiconductor罗姆
描述:MOSFET N-CH 30V 6.5A TUMT6
库存:0
单价:
1+: | ¥6.589792 |
10+: | ¥5.672195 |
100+: | ¥4.23475 |
500+: | ¥3.327472 |
1000+: | ¥2.571237 |
3000+: | ¥2.344362 |
6000+: | ¥2.193108 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥6.59