APT33GF120LRDQ2G

制造商编号:
APT33GF120LRDQ2G
制造商:
Microchip微芯
描述:
IGBT 1200V 64A 357W TO264
规格说明书:
APT33GF120LRDQ2G说明书

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货期: 8周-10周

封装: 管件

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规格参数

属性 参数值
制造商: Microchip(微芯)
系列: -
包装: 管件
零件状态: 停产
IGBT 类型: NPT
电压 - 集射极击穿(最大值): 1200 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 64 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm): 75 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 3V @ 15V,25A
功率 - 最大值: 357 W
开关能量: 1.315mJ(开),1.515mJ(关)
输入类型: 标准
栅极电荷: 170 nC
25°C 时 Td(开/关)值: 14ns/185ns
测试条件: 800V,25A,4.3 欧姆,15V
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-264-3,TO-264AA
供应商器件封装: TO-264 [L]
标准包装: 25

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APT33GF120LRDQ2G

型号:APT33GF120LRDQ2G

品牌:Microchip微芯

描述:IGBT 1200V 64A 357W TO264

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