BZT55B12 L1G

制造商编号:
BZT55B12 L1G
制造商:
Taiwan Semiconductor台湾积体电路
描述:
DIODE ZENER 12V 500MW MINI MELF
规格说明书:
BZT55B12 L1G说明书

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货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

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规格参数

属性 参数值
制造商: Taiwan Semiconductor(台湾积体电路)
系列: -
包装: 卷带(TR)
零件状态: 在售
电压 - 齐纳(标称值)(Vz): 12 V
容差: ±2%
功率 - 最大值: 500 mW
阻抗(最大值)(Zzt): 20 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 100 nA @ 9.1 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1 V @ 10 mA
工作温度: -65°C ~ 175°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: DO-213AC,MINI-MELF,SOD-80
供应商器件封装: 迷你型 MELF
标准包装: 2,500

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
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BZT55C12-GS18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division ¥1.77000 类似

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BZT55B12 L1G

型号:BZT55B12 L1G

品牌:Taiwan Semiconductor台湾积体电路

描述:DIODE ZENER 12V 500MW MINI MELF

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