库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 管件
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | ￥18.426551 | ￥18.43 |
| 10 | ￥16.557785 | ￥165.58 |
| 100 | ￥13.311629 | ￥1331.16 |
更多价格 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | TI(德州仪器) |
| 系列: | NexFET™ |
| 包装: | 管件 |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 100 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 100A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 6V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 10.5 毫欧 @ 55A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 3.4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 35 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值）: | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 2670 pF @ 50 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 188W（Tc） |
| 工作温度: | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型: | 通孔 |
| 供应商器件封装: | TO-220-3 |
| 封装/外壳: | TO-220-3 |
| 标准包装: | 50 |
替代型号
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| IPP114N12N3GXKSA1 | Infineon Technologies | ¥21.27000 | 类似 |
| IXFP130N10T2 | IXYS | ¥40.47000 | 类似 |
| IXTP130N10T | IXYS | ¥28.65000 | 类似 |
| FDP100N10 | onsemi | ¥29.34000 | 类似 |
| IRFB4410ZPBF | Infineon Technologies | ¥14.51000 | 类似 |
CSD19533KCS
型号：CSD19533KCS
品牌：TI德州仪器
描述：MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
库存：0
单价：
| 1+： | ￥18.426551 |
| 10+： | ￥16.557785 |
| 100+： | ￥13.311629 |
| 500+： | ￥10.936717 |
| 1000+： | ￥9.94243 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥18.43