库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 卷带（TR）
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | ￥15.56683 | ￥15.57 |
| 10 | ￥13.884568 | ￥138.85 |
| 100 | ￥10.822801 | ￥1082.28 |
更多价格 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | TI(德州仪器) |
| 系列: | NexFET™ |
| 包装: | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 100 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 50A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 6V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 14.5 毫欧 @ 10A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 3.6V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 21 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值）: | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 1680 pF @ 50 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 2.8W（Ta），83W（Tc） |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装: | 8-VSON（3.3x3.3） |
| 封装/外壳: | 8-PowerVDFN |
| 标准包装: | 250 |
CSD19537Q3T
型号：CSD19537Q3T
品牌：TI德州仪器
描述：MOSFET N-CH 100V 50A 8VSON
库存：0
单价：
| 1+： | ￥15.56683 |
| 10+： | ￥13.884568 |
| 100+： | ￥10.822801 |
| 250+： | ￥10.117295 |
| 500+： | ￥8.940856 |
| 1000+： | ￥7.486364 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥15.57