库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 卷带（TR）
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | ￥27.30412 | ￥27.30 |
| 800 | ￥20.347363 | ￥16277.89 |
| 1600 | ￥18.609051 | ￥29774.48 |
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | Renesas(瑞萨) |
| 系列: | - |
| 包装: | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | P 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 40 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 83A（Tc） |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 5.3 毫欧 @ 41.5A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 2.5V @ 1mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 200 nC @ 10 V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 9820 pF @ 10 V |
| FET 功能: | - |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装: | TO-263 |
| 封装/外壳: | TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB |
| 标准包装: | 800 |
NP83P04PDG-E1-AY
型号：NP83P04PDG-E1-AY
品牌：Renesas瑞萨
描述：MOSFET P-CH 40V 83A TO-263
库存：0
单价：
| 1+： | ￥27.30412 |
| 800+： | ￥20.347363 |
| 1600+： | ￥18.609051 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥27.30