库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 管件
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | ￥25.384682 | ￥25.38 |
| 10 | ￥22.830256 | ￥228.30 |
| 100 | ￥18.352202 | ￥1835.22 |
更多价格 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | Nexperia(安世) |
| 系列: | - |
| 包装: | 管件 |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 60 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 100A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 4.6 毫欧 @ 25A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 4V @ 1mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 70.8 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值）: | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 4426 pF @ 30 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 211W（Tc） |
| 工作温度: | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型: | 通孔 |
| 供应商器件封装: | TO-220AB |
| 封装/外壳: | TO-220-3 |
| 标准包装: | 50 |
替代型号
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| N0602N-S19-AY | Renesas Electronics America Inc | ¥15.67000 | 类似 |
| IRLB3036PBF | Infineon Technologies | ¥31.49000 | 类似 |
| IPP100N06S2L05AKSA2 | Rochester Electronics, LLC | ¥10.39255 | 类似 |
| IPP040N06N3GXKSA1 | Infineon Technologies | ¥17.59000 | 类似 |
| IRFZ44EPBF | Infineon Technologies | ¥12.36000 | 类似 |
PSMN4R6-60PS,127
型号：PSMN4R6-60PS,127
品牌：Nexperia安世
描述：MOSFET N-CH 60V 100A TO220AB
库存：0
单价：
| 1+： | ￥25.384682 |
| 10+： | ￥22.830256 |
| 100+： | ￥18.352202 |
| 500+： | ￥15.078114 |
| 1000+： | ￥12.924177 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥25.38