FQP8P10

制造商编号:
FQP8P10
制造商:
ON安森美
描述:
MOSFET P-CH 100V 8A TO220-3
规格说明书:
FQP8P10说明书

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货期: 8周-10周

封装: 管件

定价(含税)

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规格参数

属性 参数值
制造商: ON(安森美)
系列: QFET®
包装: 管件
零件状态: 最后售卖
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 8A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 530 毫欧 @ 4A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 15 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 470 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 65W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-220-3
封装/外壳: TO-220-3
标准包装: 1,000

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型号 品牌 参考价格 说明
IRF9520NPBF Infineon Technologies ¥11.06000 类似

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型号:FQP8P10

品牌:ON安森美

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