S3M-E3/9AT

制造商编号:
S3M-E3/9AT
制造商:
Vishay威世
描述:
DIODE GEN PURP 1KV 3A DO214AB
规格说明书:
S3M-E3/9AT说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 5.346435 5.35
10 4.344289 43.44
100 2.958319 295.83

规格参数

属性 参数值
制造商: Vishay(威世)
系列: -
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 在售
二极管类型: 标准
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 1000 V
电流 - 平均整流 (Io): 3A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.15 V @ 2.5 A
速度: 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间 (trr): 2.5 µs
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 10 µA @ 1000 V
不同 Vr、F 时电容: 60pF @ 4V,1MHz
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: DO-214AB,SMC
供应商器件封装: DO-214AB(SMC)
工作温度 - 结: -55°C ~ 150°C
标准包装: 3,500

客服

购物车

S3M-E3/9AT

型号:S3M-E3/9AT

品牌:Vishay威世

描述:DIODE GEN PURP 1KV 3A DO214AB

库存:0

单价:

1+: ¥5.346435
10+: ¥4.344289
100+: ¥2.958319
500+: ¥2.218398
1000+: ¥1.663811
3500+: ¥1.525151
7000+: ¥1.43272
10500+: ¥1.386505

货期:1-2天

+ -

单价:¥0.00总价:¥5.35