PSMN2R0-60ES,127

制造商编号:
PSMN2R0-60ES,127
制造商:
Nexperia安世
描述:
MOSFET N-CH 60V 120A I2PAK
规格说明书:
PSMN2R0-60ES,127说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 管件

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 28.833449 28.83

规格参数

属性 参数值
制造商: Nexperia(安世)
系列: -
包装: 管件
零件状态: 停产
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 120A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 2.2 毫欧 @ 25A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 137 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 9997 pF @ 30 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 338W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: I2PAK
封装/外壳: TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA
标准包装: 50

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
IRL60SL216 Infineon Technologies ¥70.50000 类似

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PSMN2R0-60ES,127

型号:PSMN2R0-60ES,127

品牌:Nexperia安世

描述:MOSFET N-CH 60V 120A I2PAK

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