- 制造商编号：
- IPG20N10S4L35AATMA1
- 制造商：
- Infineon英飞凌
- 描述：
- MOSFET 2N-CH 100V 20A 8TDSON
- 规格说明书：
- IPG20N10S4L35AATMA1说明书
库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 卷带（TR）
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 5000 | ￥7.297287 | ￥36486.43 |
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | Infineon(英飞凌) |
| 系列: | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ |
| 包装: | 卷带（TR） |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | 2 N-通道（双） |
| FET 功能: | 逻辑电平门 |
| 漏源电压（Vdss）: | 100V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 20A |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 35 毫欧 @ 17A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 2.1V @ 16µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 17.4nC @ 10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 1105pF @ 25V |
| 功率 - 最大值: | 43W |
| 工作温度: | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装，可润湿侧翼 |
| 封装/外壳: | 8-PowerVDFN |
| 供应商器件封装: | PG-TDSON-8-10 |
| 标准包装: | 5,000 |
IPG20N10S4L35AATMA1
型号：IPG20N10S4L35AATMA1
品牌：Infineon英飞凌
描述：MOSFET 2N-CH 100V 20A 8TDSON
库存：0
单价：
| 5000+： | ￥7.297287 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00