BTS113AE3064NKSA1

制造商编号:
BTS113AE3064NKSA1
制造商:
Infineon英飞凌
描述:
MOSFET N-CH 60V 11.5A TO220AB
规格说明书:
BTS113AE3064NKSA1说明书

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货期: 8周-10周

封装: 管件

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规格参数

属性 参数值
制造商: Infineon(英飞凌)
系列: TEMPFET®
包装: 管件
零件状态: 停产
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 11.5A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 170 毫欧 @ 5.8A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.5V @ 1mA
Vgs(最大值): ±10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 560 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 40W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-220AB
封装/外壳: TO-220-3
标准包装: 500

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型号 品牌 参考价格 说明
IRLZ14SPBF Vishay Siliconix ¥13.06000 类似
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BTS113AE3064NKSA1

型号:BTS113AE3064NKSA1

品牌:Infineon英飞凌

描述:MOSFET N-CH 60V 11.5A TO220AB

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