BZD17C11P R3G

制造商编号:
BZD17C11P R3G
制造商:
Taiwan Semiconductor台湾积体电路
描述:
DIODE ZENER 11V 800MW SUB SMA
规格说明书:
BZD17C11P R3G说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
3600 2.665347 9595.25

规格参数

属性 参数值
制造商: Taiwan Semiconductor(台湾积体电路)
系列: -
包装: 卷带(TR)
零件状态: 在售
电压 - 齐纳(标称值)(Vz): 11 V
容差: ±5.45%
功率 - 最大值: 800 mW
阻抗(最大值)(Zzt): 7 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 4 µA @ 8.2 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.2 V @ 200 mA
工作温度: -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: DO-219AB
供应商器件封装: Sub SMA
标准包装: 1,800

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
BZD27C11P-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division ¥4.38000 类似

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BZD17C11P R3G

型号:BZD17C11P R3G

品牌:Taiwan Semiconductor台湾积体电路

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