IXTT20P50P

制造商编号:
IXTT20P50P
制造商:
IXYS艾赛斯
描述:
MOSFET P-CH 500V 20A TO268
规格说明书:
IXTT20P50P说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 管件

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 112.572574 112.57
10 103.442295 1034.42
100 87.360466 8736.05

规格参数

属性 参数值
制造商: IXYS(艾赛斯)
系列: PolarP™
包装: 管件
零件状态: 在售
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 500 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 20A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 450 毫欧 @ 10A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 103 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 5120 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 460W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: TO-268AA
封装/外壳: TO-268-3,D³Pak(2 引线 + 接片),TO-268AA
标准包装: 30

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IXTT20P50P

型号:IXTT20P50P

品牌:IXYS艾赛斯

描述:MOSFET P-CH 500V 20A TO268

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1+: ¥112.572574
10+: ¥103.442295
100+: ¥87.360466
500+: ¥77.713489
1000+: ¥73.084871

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