FDP047AN08A0-F102

制造商编号:
FDP047AN08A0-F102
制造商:
ON安森美
描述:
MOSFET N-CH 75V 80A TO220-3
规格说明书:
FDP047AN08A0-F102说明书

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货期: 8周-10周

封装: 管件

定价(含税)

阶梯 单价 总价
800 24.655782 19724.63

规格参数

属性 参数值
制造商: ON(安森美)
系列: -
包装: 管件
零件状态: 不适用于新设计
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 75 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 15A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 6V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): -
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): -
Vgs(最大值): ±20V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 310W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-220-3
封装/外壳: TO-220-3
标准包装: 50

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
IXFP230N075T2 IXYS ¥53.99000 类似
IXTP200N055T2 IXYS ¥30.57000 类似
IPP040N06NAKSA1 Infineon Technologies ¥18.28000 类似

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FDP047AN08A0-F102

型号:FDP047AN08A0-F102

品牌:ON安森美

描述:MOSFET N-CH 75V 80A TO220-3

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