DS9-12F

制造商编号:
DS9-12F
制造商:
IXYS艾赛斯
描述:
DIODE GEN PURP 1.2KV 11A DO203AA
规格说明书:
DS9-12F说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 散装

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1+ : 需询价

规格参数

属性 参数值
制造商: IXYS(艾赛斯)
系列: -
包装: 散装
零件状态: 停产
二极管类型: 标准
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 1200 V
电流 - 平均整流 (Io): 11A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.4 V @ 36 A
速度: 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 3 mA @ 1200 V
不同 Vr、F 时电容: -
安装类型: 底座,接线柱安装
封装/外壳: DO-203AA,DO-4,接线柱
供应商器件封装: DO-203AA
工作温度 - 结: -40°C ~ 180°C
标准包装: 50

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
VS-12F120 Vishay General Semiconductor - Diodes Division ¥65.66000 类似

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型号:DS9-12F

品牌:IXYS艾赛斯

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