IRFB33N15DPBF

制造商编号:
IRFB33N15DPBF
制造商:
Infineon英飞凌
描述:
MOSFET N-CH 150V 33A TO220AB
规格说明书:
IRFB33N15DPBF说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 管件

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1+ : 需询价

规格参数

属性 参数值
制造商: Infineon(英飞凌)
系列: HEXFET®
包装: 管件
零件状态: 停产
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 33A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 56 毫欧 @ 20A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 5.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 90 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 2020 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 3.8W(Ta),170W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-220AB
封装/外壳: TO-220-3
标准包装: 1,000

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
IRFB4321PBF Infineon Technologies ¥29.18000 类似

客服

购物车

IRFB33N15DPBF

型号:IRFB33N15DPBF

品牌:Infineon英飞凌

描述:MOSFET N-CH 150V 33A TO220AB

库存:0

单价:

货期:1-2天

+ -

单价:¥0.00总价:¥0.00