FDS8672S

制造商编号:
FDS8672S
制造商:
ON安森美
描述:
MOSFET N-CH 30V 18A 8SOIC
规格说明书:
FDS8672S说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 18.140579 18.14
10 16.319061 163.19
100 13.117789 1311.78

规格参数

属性 参数值
制造商: ON(安森美)
系列: PowerTrench®, SyncFET™
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 最后售卖
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 18A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 4.8 毫欧 @ 18A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 41 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 2670 pF @ 15 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 2.5W(Ta)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: 8-SOIC
封装/外壳: 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
标准包装: 2,500

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
IRF8736TRPBF Infineon Technologies ¥6.53000 类似
AO4430 Alpha & Omega Semiconductor Inc. ¥7.83000 类似

客服

购物车

FDS8672S

型号:FDS8672S

品牌:ON安森美

描述:MOSFET N-CH 30V 18A 8SOIC

库存:0

单价:

1+: ¥18.140579
10+: ¥16.319061
100+: ¥13.117789
500+: ¥10.778015
1000+: ¥8.930275
2500+: ¥8.314415

货期:1-2天

+ -

单价:¥0.00总价:¥18.14