- 制造商编号：
- RD3L03BATTL1
- 制造商：
- Rohm Semiconductor罗姆
- 描述：
- PCH -60V -35A POWER MOSFET - RD3
- 规格说明书：
- RD3L03BATTL1说明书
库存 ：6490
货期： 国内（1~2天）
封装： 卷带（TR）
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | ￥12.980647 | ￥12.98 |
| 10 | ￥11.650255 | ￥116.50 |
| 100 | ￥9.083842 | ￥908.38 |
更多价格 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | Rohm Semiconductor(罗姆) |
| 系列: | - |
| 封装/外壳: | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
| 工作温度: | 150°C（TJ） |
| 包装: | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | P 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 60 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 35A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 41 毫欧 @ 35A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 2.5V @ 1mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 37 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值）: | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 1930 pF @ 30 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 56W (Ta) |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装: | TO-252 |
| 标准包装: | 2,500 |
RD3L03BATTL1
型号：RD3L03BATTL1
品牌：Rohm Semiconductor罗姆
描述：PCH -60V -35A POWER MOSFET - RD3
库存：6490
单价：
| 1+： | ￥12.980647 |
| 10+： | ￥11.650255 |
| 100+： | ￥9.083842 |
| 500+： | ￥7.503933 |
| 1000+： | ￥5.924148 |
| 2500+： | ￥5.529209 |
| 5000+： | ￥5.385588 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥12.98