货期: 8周-10周
封装: 管件
阶梯 | 单价 | 总价 |
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1000 | ¥13.421042 | ¥13421.04 |
属性 | 参数值 |
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制造商: | ST(意法半导体) |
系列: | MDmesh™ DM2 |
包装: | 管件 |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | N 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 600 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 12A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 295 毫欧 @ 6A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 5V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 20 nC @ 10 V |
Vgs(最大值): | ±25V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 800 pF @ 100 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 90W(Tc) |
工作温度: | 150°C(TJ) |
安装类型: | 通孔 |
供应商器件封装: | TO-220 |
封装/外壳: | TO-220-3 |
标准包装: | 50 |
型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
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AOT11S60L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | ¥19.43000 | 类似 |
FCP11N60N | onsemi | ¥25.65000 | 类似 |
FCP380N60 | onsemi | ¥16.28000 | 类似 |
IPP80R360P7XKSA1 | Infineon Technologies | ¥24.96000 | 类似 |
IXFP22N60P3 | IXYS | ¥42.39000 | 类似 |
STP18N60DM2
型号:STP18N60DM2
品牌:ST意法半导体
描述:MOSFET N-CH 600V 12A TO220
库存:0
单价:
1000+: | ¥13.421042 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00