FDC633N_F095

制造商编号:
FDC633N_F095
制造商:
ON安森美
描述:
MOSFET N-CH 30V 5.2A SUPERSOT6
规格说明书:
FDC633N_F095说明书

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货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

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规格参数

属性 参数值
制造商: ON(安森美)
系列: -
包装: 卷带(TR)
零件状态: 停产
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 5.2A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 2.5V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 42 毫欧 @ 5.2A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 16 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值): ±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 538 pF @ 10 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 1.6W(Ta)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: SuperSOT™-6
封装/外壳: SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
标准包装: 3,000

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
RSQ020N03TR Rohm Semiconductor ¥5.45000 类似
RSQ045N03TR Rohm Semiconductor ¥5.61000 类似
RTQ035N03TR Rohm Semiconductor ¥5.30000 类似
RTQ045N03TR Rohm Semiconductor ¥5.15000 类似

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FDC633N_F095

型号:FDC633N_F095

品牌:ON安森美

描述:MOSFET N-CH 30V 5.2A SUPERSOT6

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