库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 散装
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 10 | ￥635.195034 | ￥6351.95 |
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | Infineon(英飞凌) |
| 系列: | - |
| 包装: | 散装 |
| 零件状态: | 在售 |
| IGBT 类型: | 沟槽型场截止 |
| 配置: | 单斩波器 |
| 电压 - 集射极击穿（最大值）: | 1200 V |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: | 150 A |
| 功率 - 最大值: | 790 W |
| 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: | 2.15V @ 15V，150A |
| 电流 - 集电极截止（最大值）: | 1 mA |
| 不同 Vce 时输入电容 (Cies): | 9.3 nF @ 25 V |
| 输入: | 标准 |
| NTC 热敏电阻: | 无 |
| 工作温度: | -40°C ~ 150°C |
| 安装类型: | 底座安装 |
| 封装/外壳: | 模块 |
| 供应商器件封装: | 模块 |
| 标准包装: | 10 |
DF150R12RT4HOSA1
型号：DF150R12RT4HOSA1
品牌：Infineon英飞凌
描述：IGBT MOD 1200V 150A 790W
库存：0
单价：
| 10+： | ￥635.195034 |
货期：1-2天
+ -
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