PMFPB6532UP,115

制造商编号:
PMFPB6532UP,115
制造商:
NXP恩智浦
描述:
MOSFET P-CH 20V 3.5A DFN2020-6
规格说明书:
PMFPB6532UP,115说明书

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货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

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规格参数

属性 参数值
制造商: NXP(恩智浦)
系列: -
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 停产
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 3.5A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 1.8V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 70 毫欧 @ 1A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 6 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值): ±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 380 pF @ 10 V
FET 功能: 肖特基二极管(隔离式)
功率耗散(最大值): 520mW(Ta),8.3W(Tc)
工作温度: 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: 6-HUSON(2x2)
封装/外壳: 6-UDFN 裸露焊盘
标准包装: 3,000

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PMFPB6532UP,115

型号:PMFPB6532UP,115

品牌:NXP恩智浦

描述:MOSFET P-CH 20V 3.5A DFN2020-6

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