- 制造商编号：
- PMV130ENEA/DG/B2R
- 制造商：
- Nexperia安世
- 描述：
- MOSFET N-CH 40V 2.1A TO236AB
- 规格说明书：
- PMV130ENEA/DG/B2R说明书
库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 卷带（TR）
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ ： 需询价 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | Nexperia(安世) |
| 系列: | Automotive, AEC-Q101 |
| 包装: | 卷带（TR） |
| 零件状态: | 停产 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 40 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 2.1A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 120 毫欧 @ 1.5A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 2.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 3.6 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值）: | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 170 pF @ 20 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 5W（Tc） |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装: | TO-236AB |
| 封装/外壳: | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 标准包装: | 3,000 |
替代型号
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| PMV130ENEAR | Nexperia USA Inc. | ¥3.46000 | 直接 |
PMV130ENEA/DG/B2R
型号：PMV130ENEA/DG/B2R
品牌：Nexperia安世
描述：MOSFET N-CH 40V 2.1A TO236AB
库存：0
单价：
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00