PMV130ENEA/DG/B2R

制造商编号:
PMV130ENEA/DG/B2R
制造商:
Nexperia安世
描述:
MOSFET N-CH 40V 2.1A TO236AB
规格说明书:
PMV130ENEA/DG/B2R说明书

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货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

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规格参数

属性 参数值
制造商: Nexperia(安世)
系列: Automotive, AEC-Q101
包装: 卷带(TR)
零件状态: 停产
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 2.1A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 120 毫欧 @ 1.5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 3.6 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 170 pF @ 20 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 5W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: TO-236AB
封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准包装: 3,000

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型号 品牌 参考价格 说明
PMV130ENEAR Nexperia USA Inc. ¥3.46000 直接

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PMV130ENEA/DG/B2R

型号:PMV130ENEA/DG/B2R

品牌:Nexperia安世

描述:MOSFET N-CH 40V 2.1A TO236AB

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