库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 卷带（TR）
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 3000 | ￥2.642025 | ￥7926.07 |
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | Comchip(台湾典琦) |
| 系列: | - |
| 包装: | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | 2 N 沟道（双）共漏 |
| FET 功能: | 标准 |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 8A（Ta） |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 18 毫欧 @ 3A，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 1.3V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 8.8nC @ 4.5V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | - |
| 功率 - 最大值: | 1.5W（Ta） |
| 工作温度: | 150°C |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 封装/外壳: | 4-SMD，无引线 |
| 供应商器件封装: | CSPB1515-4 |
| 标准包装: | 3,000 |
CMSBN4616-HF
型号：CMSBN4616-HF
品牌：Comchip台湾典琦
描述：MOSFET DUAL N-CH 15VDS 12VGS 8A
库存：0
单价：
| 3000+： | ￥2.642025 |
货期：1-2天
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