SF36GHB0G

制造商编号:
SF36GHB0G
制造商:
Taiwan Semiconductor台湾积体电路
描述:
DIODE GEN PURP 400V 3A DO201AD
规格说明书:
SF36GHB0G说明书

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货期: 8周-10周

封装: 散装

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规格参数

属性 参数值
制造商: Taiwan Semiconductor(台湾积体电路)
系列: Automotive, AEC-Q101
包装: 散装
零件状态: 在售
二极管类型: 标准
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 400 V
电流 - 平均整流 (Io): 3A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.3 V @ 3 A
速度: 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间 (trr): 35 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 µA @ 400 V
不同 Vr、F 时电容: 60pF @ 4V,1MHz
安装类型: 通孔
封装/外壳: DO-201AD,轴向
供应商器件封装: DO-201AD
工作温度 - 结: -55°C ~ 150°C
标准包装: 500

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
1N5404G-T Diodes Incorporated ¥3.07000 类似
UF5404-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division ¥5.15000 类似
1N5404-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division ¥3.84000 类似
STTH3R04RL STMicroelectronics ¥5.91000 类似

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SF36GHB0G

型号:SF36GHB0G

品牌:Taiwan Semiconductor台湾积体电路

描述:DIODE GEN PURP 400V 3A DO201AD

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