库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 卷带（TR）
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | ￥56.90845 | ￥56.91 |
| 10 | ￥51.084566 | ￥510.85 |
| 100 | ￥41.857986 | ￥4185.80 |
更多价格 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | ON(安森美) |
| 系列: | FRFET®, SuperFET® III |
| 包装: | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 650 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 30A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 110 毫欧 @ 15A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 5V @ 740µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 62 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值）: | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 2635 pF @ 400 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 240W（Tc） |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装: | D²PAK-3（TO-263-3） |
| 封装/外壳: | TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB |
| 标准包装: | 800 |
替代型号
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| STB30N65M5 | STMicroelectronics | ¥55.45000 | 类似 |
| SIHB33N60ET1-GE3 | Vishay Siliconix | ¥49.69000 | 类似 |
| STB34NM60ND | STMicroelectronics | ¥91.39000 | 类似 |
NTB110N65S3HF
型号：NTB110N65S3HF
品牌：ON安森美
描述：MOSFET N-CH 650V 30A D2PAK-3
库存：0
单价：
| 1+： | ￥56.90845 |
| 10+： | ￥51.084566 |
| 100+： | ￥41.857986 |
| 800+： | ￥35.633281 |
| 1600+： | ￥34.150143 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥56.91