IXFK36N60

制造商编号:
IXFK36N60
制造商:
IXYS艾赛斯
描述:
MOSFET N-CH 600V 36A TO264AA
规格说明书:
IXFK36N60说明书

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货期: 8周-10周

封装: 管件

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规格参数

属性 参数值
制造商: IXYS(艾赛斯)
系列: HiPerFET™
包装: 管件
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 36A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 180 毫欧 @ 500mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4.5V @ 8mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 325 nC @ 25 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 9000 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 500W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-264AA(IXFK)
封装/外壳: TO-264-3,TO-264AA
标准包装: 25

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型号 品牌 参考价格 说明
IXFK44N80P IXYS ¥172.56000 类似

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型号:IXFK36N60

品牌:IXYS艾赛斯

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