SIHP14N60E-GE3

制造商编号:
SIHP14N60E-GE3
制造商:
Vishay威世
描述:
MOSFET N-CH 600V 13A TO220AB
规格说明书:
SIHP14N60E-GE3说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 管件

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 21.714333 21.71
10 19.468809 194.69
100 15.649024 1564.90

规格参数

属性 参数值
制造商: Vishay(威世)
系列: E
包装: 管件
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 13A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 309 毫欧 @ 7A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 64 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1205 pF @ 100 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 147W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-220AB
封装/外壳: TO-220-3
标准包装: 1,000

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
FCPF11N60F onsemi ¥19.81000 类似
FCP400N80Z onsemi ¥23.12000 类似
TK14E65W5,S1X Toshiba Semiconductor and Storage ¥24.57000 类似
STP18N65M2 STMicroelectronics ¥23.35000 类似

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SIHP14N60E-GE3

型号:SIHP14N60E-GE3

品牌:Vishay威世

描述:MOSFET N-CH 600V 13A TO220AB

库存:0

单价:

1+: ¥21.714333
10+: ¥19.468809
100+: ¥15.649024
500+: ¥12.857302
1000+: ¥11.020508

货期:1-2天

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