IRF7379QTRPBF

制造商编号:
IRF7379QTRPBF
制造商:
Infineon英飞凌
描述:
MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC
规格说明书:
IRF7379QTRPBF说明书

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货期: 8周-10周

封装: 剪切带(CT)

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规格参数

属性 参数值
制造商: Infineon(英飞凌)
系列: -
包装: 剪切带(CT) Digi-Reel® 得捷定制卷带
零件状态: 停产
FET 类型: N 和 P 沟道
FET 功能: 逻辑电平门
漏源电压(Vdss): 30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 5.8A,4.3A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 45 毫欧 @ 5.8A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 25nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 520pF @ 25V
功率 - 最大值: 2.5W
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装: 8-SO
标准包装: 4,000

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IRF7379QTRPBF

型号:IRF7379QTRPBF

品牌:Infineon英飞凌

描述:MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC

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