货期: 8周-10周
封装: 卷带(TR)
阶梯 | 单价 | 总价 |
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1 | ¥50.990071 | ¥50.99 |
10 | ¥45.777918 | ¥457.78 |
100 | ¥37.503377 | ¥3750.34 |
更多价格 |
属性 | 参数值 |
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制造商: | TI(德州仪器) |
系列: | NexFET™ |
包装: | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | 2 个 N 通道(半桥) |
FET 功能: | 标准 |
漏源电压(Vdss): | 60V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | - |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 2.1 毫欧 @ 30A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 2.5V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 27nC @ 4.5V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 4840pF @ 30V |
功率 - 最大值: | 12W |
工作温度: | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
封装/外壳: | 22-PowerTFDFN |
供应商器件封装: | 22-VSON-CLIP(5x6) |
标准包装: | 250 |
CSD88599Q5DCT
型号:CSD88599Q5DCT
品牌:TI德州仪器
描述:MOSFET 2N-CH 60V 22-VSON-CLIP
库存:0
单价:
1+: | ¥50.990071 |
10+: | ¥45.777918 |
100+: | ¥37.503377 |
250+: | ¥35.580053 |
500+: | ¥31.925877 |
1000+: | ¥30.597151 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥50.99