货期: 8周-10周
封装: 卷带(TR)
阶梯 | 单价 | 总价 |
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1 | ¥18.123774 | ¥18.12 |
10 | ¥16.2829 | ¥162.83 |
25 | ¥15.358018 | ¥383.95 |
更多价格 |
属性 | 参数值 |
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制造商: | TI(德州仪器) |
系列: | NexFET™ |
包装: | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | 2 N-通道(双) |
FET 功能: | 标准 |
漏源电压(Vdss): | 30V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 25A |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | - |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 1.9V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 7.4nC @ 4.5V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 1050pF @ 15V |
功率 - 最大值: | 6W |
工作温度: | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
封装/外壳: | 8-PowerLDFN |
供应商器件封装: | 8-LSON(3.3x3.3) |
标准包装: | 250 |
CSD87335Q3DT
型号:CSD87335Q3DT
品牌:TI德州仪器
描述:MOSFET 2N-CH 30V 25A
库存:0
单价:
1+: | ¥18.123774 |
10+: | ¥16.2829 |
25+: | ¥15.358018 |
100+: | ¥13.084681 |
250+: | ¥12.285821 |
500+: | ¥10.749997 |
1000+: | ¥10.141597 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥18.12