IXTH6N120

制造商编号:
IXTH6N120
制造商:
IXYS艾赛斯
描述:
MOSFET N-CH 1200V 6A TO247
规格说明书:
IXTH6N120说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 管件

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 123.651854 123.65
10 113.675157 1136.75
100 96.008795 9600.88

规格参数

属性 参数值
制造商: IXYS(艾赛斯)
系列: -
包装: 管件
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 6A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 2.6 欧姆 @ 3A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 56 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1950 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 300W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-247(IXTH)
封装/外壳: TO-247-3
标准包装: 30

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
APT7M120B Microchip Technology ¥45.54000 类似

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IXTH6N120

型号:IXTH6N120

品牌:IXYS艾赛斯

描述:MOSFET N-CH 1200V 6A TO247

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1+: ¥123.651854
10+: ¥113.675157
100+: ¥96.008795
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