- 制造商编号：
- HS1JL R3G
- 制造商：
- Taiwan Semiconductor台湾积体电路
- 描述：
- DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA
- 规格说明书：
- HS1JL R3G说明书
库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 卷带（TR）
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ ： 需询价 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | Taiwan Semiconductor(台湾积体电路) |
| 系列: | - |
| 包装: | 卷带（TR） |
| 零件状态: | 在售 |
| 二极管类型: | 标准 |
| 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: | 600 V |
| 电流 - 平均整流 (Io): | 1A |
| 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): | 1.7 V @ 1 A |
| 速度: | 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） |
| 反向恢复时间 (trr): | 75 ns |
| 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: | 5 µA @ 600 V |
| 不同 Vr、F 时电容: | 15pF @ 4V，1MHz |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 封装/外壳: | DO-219AB |
| 供应商器件封装: | Sub SMA |
| 工作温度 - 结: | -55°C ~ 150°C |
| 标准包装: | 1,800 |
替代型号
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| RS07J-GS18 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | ¥3.00000 | 类似 |
HS1JL R3G
型号：HS1JL R3G
品牌：Taiwan Semiconductor台湾积体电路
描述：DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA
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