- 制造商编号：
- IDP30E65D2XKSA1
- 制造商：
- Infineon英飞凌
- 描述：
- DIODE GEN PURP 650V 60A TO220-2
- 规格说明书：
- IDP30E65D2XKSA1说明书
库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 管件
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | ￥17.599438 | ￥17.60 |
| 10 | ￥15.826956 | ￥158.27 |
| 100 | ￥12.719698 | ￥1271.97 |
更多价格 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | Infineon(英飞凌) |
| 系列: | - |
| 包装: | 管件 |
| 零件状态: | 在售 |
| 二极管类型: | 标准 |
| 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: | 650 V |
| 电流 - 平均整流 (Io): | 60A（DC） |
| 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): | 2.2 V @ 30 A |
| 速度: | 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） |
| 反向恢复时间 (trr): | 42 ns |
| 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: | 40 µA @ 650 V |
| 不同 Vr、F 时电容: | - |
| 安装类型: | 通孔 |
| 封装/外壳: | TO-220-2 |
| 供应商器件封装: | PG-TO220-2-1 |
| 工作温度 - 结: | -40°C ~ 175°C |
| 标准包装: | 50 |
替代型号
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| VS-ETH3007THN3 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | ¥13.67000 | 类似 |
IDP30E65D2XKSA1
型号：IDP30E65D2XKSA1
品牌：Infineon英飞凌
描述：DIODE GEN PURP 650V 60A TO220-2
库存：0
单价：
| 1+： | ￥17.599438 |
| 10+： | ￥15.826956 |
| 100+： | ￥12.719698 |
| 500+： | ￥10.450784 |
| 1000+： | ￥10.385834 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥17.60