JAN1N5546B-1

制造商编号:
JAN1N5546B-1
制造商:
Microchip微芯
描述:
DIODE ZENER 33V 500MW DO35
规格说明书:
JAN1N5546B-1说明书

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货期: 8周-10周

封装: 散装

定价(含税)

阶梯 单价 总价
142 50.702781 7199.79

规格参数

属性 参数值
制造商: Microchip(微芯)
系列: Military, MIL-PRF-19500/437
包装: 散装
零件状态: 在售
电压 - 齐纳(标称值)(Vz): 33 V
容差: ±5%
功率 - 最大值: 500 mW
阻抗(最大值)(Zzt): 100 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 10 nA @ 29.7 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.1 V @ 200 mA
工作温度: -65°C ~ 175°C
安装类型: 通孔
封装/外壳: DO-204AH,DO-35,轴向
供应商器件封装: DO-35(DO-204AH)
标准包装: 1

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JAN1N5546B-1

型号:JAN1N5546B-1

品牌:Microchip微芯

描述:DIODE ZENER 33V 500MW DO35

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