APT25GP120BG

制造商编号:
APT25GP120BG
制造商:
Microchip微芯
描述:
IGBT 1200V 69A 417W TO247
规格说明书:
APT25GP120BG说明书

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货期: 8周-10周

封装: 管件

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规格参数

属性 参数值
制造商: Microchip(微芯)
系列: POWER MOS 7®
包装: 管件
零件状态: 在售
IGBT 类型: PT
电压 - 集射极击穿(最大值): 1200 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 69 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm): 90 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 3.9V @ 15V,25A
功率 - 最大值: 417 W
开关能量: 500µJ(开),438µJ(关)
输入类型: 标准
栅极电荷: 110 nC
25°C 时 Td(开/关)值: 12ns/70ns
测试条件: 600V,25A,5 欧姆,15V
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-247-3
供应商器件封装: TO-247 [B]
标准包装: 1

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
IXYH40N120C3 IXYS ¥86.70000 类似
IXYH40N120B3D1 IXYS ¥83.25000 类似
IXYH40N120C3D1 IXYS ¥91.62000 类似

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型号:APT25GP120BG

品牌:Microchip微芯

描述:IGBT 1200V 69A 417W TO247

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