货期: 8周-10周
封装: 管件
阶梯 | 单价 | 总价 |
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1+ : 需询价 |
属性 | 参数值 |
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制造商: | Microchip(微芯) |
系列: | POWER MOS 7® |
包装: | 管件 |
零件状态: | 在售 |
IGBT 类型: | PT |
电压 - 集射极击穿(最大值): | 1200 V |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): | 69 A |
电流 - 集电极脉冲 (Icm): | 90 A |
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): | 3.9V @ 15V,25A |
功率 - 最大值: | 417 W |
开关能量: | 500µJ(开),438µJ(关) |
输入类型: | 标准 |
栅极电荷: | 110 nC |
25°C 时 Td(开/关)值: | 12ns/70ns |
测试条件: | 600V,25A,5 欧姆,15V |
工作温度: | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型: | 通孔 |
封装/外壳: | TO-247-3 |
供应商器件封装: | TO-247 [B] |
标准包装: | 1 |
型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
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IXYH40N120C3 | IXYS | ¥86.70000 | 类似 |
IXYH40N120B3D1 | IXYS | ¥83.25000 | 类似 |
IXYH40N120C3D1 | IXYS | ¥91.62000 | 类似 |
APT25GP120BG
型号:APT25GP120BG
品牌:Microchip微芯
描述:IGBT 1200V 69A 417W TO247
库存:0
单价:
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00