NHPJ08S600G

制造商编号:
NHPJ08S600G
制造商:
ON安森美
描述:
DIODE GEN PURP 600V 8A TO220FP
规格说明书:
NHPJ08S600G说明书

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货期: 8周-10周

封装: 管件

定价(含税)

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规格参数

属性 参数值
制造商: ON(安森美)
系列: -
包装: 管件
零件状态: 停产
二极管类型: 标准
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 600 V
电流 - 平均整流 (Io): 8A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 3.2 V @ 8 A
速度: 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间 (trr): 50 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 30 µA @ 600 V
不同 Vr、F 时电容: -
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-220-2 整包
供应商器件封装: TO-220-2 整包
工作温度 - 结: -55°C ~ 150°C
标准包装: 50

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
VS-ETL1506FP-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division ¥12.13000 类似
VS-15ETL06FP-N3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division ¥18.05000 类似

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NHPJ08S600G

型号:NHPJ08S600G

品牌:ON安森美

描述:DIODE GEN PURP 600V 8A TO220FP

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