IXFH86N30T

制造商编号:
IXFH86N30T
制造商:
IXYS艾赛斯
描述:
MOSFET N-CH 300V 86A TO247AD
规格说明书:
IXFH86N30T说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 管件

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 113.058452 113.06
10 102.121884 1021.22
100 84.551384 8455.14

规格参数

属性 参数值
制造商: IXYS(艾赛斯)
系列: HiPerFET™, Trench
包装: 管件
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 300 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 86A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 43 毫欧 @ 43A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 5V @ 4mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 180 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 11300 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 860W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-247AD(IXFH)
封装/外壳: TO-247-3
标准包装: 30

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
IRFP4229PBF Infineon Technologies ¥33.94000 类似

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IXFH86N30T

型号:IXFH86N30T

品牌:IXYS艾赛斯

描述:MOSFET N-CH 300V 86A TO247AD

库存:0

单价:

1+: ¥113.058452
10+: ¥102.121884
100+: ¥84.551384
500+: ¥73.625982
1000+: ¥64.773528

货期:1-2天

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