库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 管件
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | ￥577.225104 | ￥577.23 |
| 100 | ￥530.3446 | ￥53034.46 |
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | Microchip(微芯) |
| 系列: | - |
| 包装: | 管件 |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 800 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 60A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 110 毫欧 @ 43A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 5V @ 5mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 570 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值）: | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 17550 pF @ 25 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 960W（Tc） |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 底座安装 |
| 供应商器件封装: | SOT-227 |
| 封装/外壳: | SOT-227-4，miniBLOC |
| 标准包装: | 1 |
替代型号
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| IXFN48N60P | IXYS | ¥221.25000 | 类似 |
| IXFN60N80P | IXYS | ¥307.19000 | 类似 |
APT58M80J
型号：APT58M80J
品牌：Microchip微芯
描述：MOSFET N-CH 800V 60A SOT227
库存：0
单价：
| 1+： | ￥577.225104 |
| 100+： | ￥530.3446 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥577.23