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货期： 8周-10周
封装： 卷带（TR）
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ ： 需询价 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | ON(安森美) |
| 系列: | Stealth™ |
| 包装: | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态: | 停产 |
| 二极管类型: | 标准 |
| 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: | 1200 V |
| 电流 - 平均整流 (Io): | 8A |
| 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): | 3.3 V @ 8 A |
| 速度: | 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） |
| 反向恢复时间 (trr): | 300 ns |
| 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: | 100 µA @ 1200 V |
| 不同 Vr、F 时电容: | 30pF @ 10V，1MHz |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 封装/外壳: | TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB |
| 供应商器件封装: | D²PAK（TO-263） |
| 工作温度 - 结: | -55°C ~ 150°C |
| 标准包装: | 800 |
ISL9R8120S3ST
型号：ISL9R8120S3ST
品牌：ON安森美
描述：DIODE GEN PURP 1.2KV 8A TO263
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