NTMFS4C09NBT1G

制造商编号:
NTMFS4C09NBT1G
制造商:
ON安森美
描述:
MOSFET N-CH 30V SO8FL
规格说明书:
NTMFS4C09NBT1G说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 6.017848 6.02
10 5.299188 52.99
100 4.065777 406.58

规格参数

属性 参数值
制造商: ON(安森美)
系列: -
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 30 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1252 pF @ 15 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 760mW(Ta)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
标准包装: 1,500

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NTMFS4C09NBT1G

型号:NTMFS4C09NBT1G

品牌:ON安森美

描述:MOSFET N-CH 30V SO8FL

库存:0

单价:

1+: ¥6.017848
10+: ¥5.299188
100+: ¥4.065777
500+: ¥3.214053
1500+: ¥2.571225
3000+: ¥2.556628

货期:1-2天

+ -

单价:¥0.00总价:¥6.02