PMN34UN,135

制造商编号:
PMN34UN,135
制造商:
NXP恩智浦
描述:
MOSFET N-CH 30V 4.9A 6TSOP
规格说明书:
PMN34UN,135说明书

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货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

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规格参数

属性 参数值
制造商: NXP(恩智浦)
系列: TrenchMOS™
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 停产
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 4.9A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 1.8V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 46 毫欧 @ 2A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 700mV @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 9.9 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值): ±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 790 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 1.75W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: SC-74
封装/外壳: SC-74,SOT-457
标准包装: 10,000

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
RSQ020N03TR Rohm Semiconductor ¥5.45000 类似
RTQ035N03TR Rohm Semiconductor ¥5.30000 类似
RTQ045N03TR Rohm Semiconductor ¥5.15000 类似

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PMN34UN,135

型号:PMN34UN,135

品牌:NXP恩智浦

描述:MOSFET N-CH 30V 4.9A 6TSOP

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