货期: 8周-10周
封装: 卷带(TR)
阶梯 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | ¥9.076506 | ¥9.08 |
10 | ¥7.973648 | ¥79.74 |
100 | ¥6.11197 | ¥611.20 |
更多价格 |
属性 | 参数值 |
---|---|
制造商: | Goford Semiconductor |
系列: | - |
封装/外壳: | TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 |
工作温度: | -55°C ~ 150°C(TJ) |
包装: | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | P 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 60 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 25A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 45 毫欧 @ 12A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 3V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 37 nC @ 10 V |
Vgs(最大值): | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 3384 pF @ 30 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 100W(Tc) |
安装类型: | 表面贴装型 |
供应商器件封装: | TO-252 |
标准包装: | 2,500 |
25P06
型号:25P06
品牌:Goford Semiconductor
描述:P60V,RD(MAX)<45M@-10V,VTH2V~3V T
库存:0
单价:
1+: | ¥9.076506 |
10+: | ¥7.973648 |
100+: | ¥6.11197 |
500+: | ¥4.831561 |
1000+: | ¥3.865249 |
2500+: | ¥3.50286 |
5000+: | ¥3.29425 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥9.08