25P06

制造商编号:
25P06
制造商:
Goford Semiconductor
描述:
P60V,RD(MAX)<45M@-10V,VTH2V~3V T
规格说明书:
25P06说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 9.076506 9.08
10 7.973648 79.74
100 6.11197 611.20

规格参数

属性 参数值
制造商: Goford Semiconductor
系列: -
封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 在售
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 25A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 45 毫欧 @ 12A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 37 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 3384 pF @ 30 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 100W(Tc)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: TO-252
标准包装: 2,500

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25P06

型号:25P06

品牌:Goford Semiconductor

描述:P60V,RD(MAX)<45M@-10V,VTH2V~3V T

库存:0

单价:

1+: ¥9.076506
10+: ¥7.973648
100+: ¥6.11197
500+: ¥4.831561
1000+: ¥3.865249
2500+: ¥3.50286
5000+: ¥3.29425

货期:1-2天

+ -

单价:¥0.00总价:¥9.08